Study of silicon-nitride induced damage on thin gate oxide

被引：0

作者：

Dong, W ^{[1
]}

Zhou, J ^{[1
]}

Liao, S ^{[1
]}

Niou, C ^{[1
]}

Chien, WTK ^{[1
]}

机构：

[1] SMIC, Reliabil Div, Shanghai 201203, Peoples R China

来源：

2005 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS - 43RD ANNUAL | 2005年

关键词：

D O I：

10.1109/RELPHY.2005.1493170

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2