High-Voltage Sharp-Recovery 4H:SiC Drift Diodes: Theoretical Estimation of Limiting Parameters

被引：8

作者：

Ivanov, P. A. ^{[1
]}

Grekhov, I. V. ^{[1
]}

机构：

[1] Russian Acad Sci, AF Ioffe Phys Tech Inst, St Petersburg 194021, Russia

来源：

TECHNICAL PHYSICS | 2015年 / 60卷 / 06期

基金：

俄罗斯基础研究基金会;

关键词：

Space Charge Region; Mobility Ratio; Electron Drift Velocity; Nonequilibrium Carrier; Pulse Rise Time;

D O I：

10.1134/S1063784215060092

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

A simple mathematical model of 4H:SiC sharp-recovery drift diodes with a p(+)-p(-)n(0)-n(+) structure. With this model, the limiting electrical parameters of high-voltage (2-10 kV) pulse generators built around these diodes are theoretically estimated.

引用

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