Dielectric properties of SiCF film deposited by PECVD with low dielectric constants

被引：0

作者：

Kim, KH ^{[1
]}

Lim, KJ ^{[1
]}

Ryu, WS ^{[1
]}

Lee, JS ^{[1
]}

机构：

[1] Chungbuk Natl Univ, Dept Mat Engn, Chungbuk 361763, South Korea

来源：

PROCEEDINGS OF THE 1998 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON CONDUCTION AND BREAKDOWN IN SOLID DIELECTRICS - ICSD '98 | 1998年

关键词：

D O I：

10.1109/ICSD.1998.709267

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4