MOSFETs and IGBTs differ in drive methods and protection needs

被引：0
作者：
Travis, B
机构：
来源：
EDN | 1996年 / 41卷 / 05期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：123 / &
页数：6
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