Raman spectroscopic study of ion-implanted and annealed silicon.

被引：0

作者：

Tuschel, DD ^{[1
]}

Lavine, JP ^{[1
]}

Russell, JB ^{[1
]}

机构：

[1] EASTMAN KODAK CO,IMAGING RES & ADV DEV,ROCHESTER,NY 14650

来源：

DIAGNOSTIC TECHNIQUES FOR SEMICONDUCTOR MATERIALS PROCESSING II | 1996年 / 406卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：549 / 554

页数：6