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Excitation and recombination processes in rare earth doped II-VI semiconductors
被引：1
作者：
Godlewski, M
[1
]
机构：
[1] POLISH ACAD SCI,INST PHYS,PL-02668 WARSAW,POLAND
来源：
RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II
|
1996年
/
422卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-422-291
中图分类号：
TB3 [工程材料学];
学科分类号：
0805 ;
080502 ;
摘要：
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页码：291 / 302
页数：12
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