Statistical metrology: Understanding spatial variation in semiconductor manufacturing

被引：17

作者：

Boning, DS ^{[1
]}

Chung, JE ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,DEPT COMP SCI & ELECT ENGN,MICROSYST TECHNOL LABS,CAMBRIDGE,MA 02139

来源：

MICROELECTRONIC MANUFACTURING YIELD, RELIABILITY, AND FAILURE ANALYSIS II | 1996年 / 2874卷

关键词：

variation; statistical metrology; process characterization; intra-die variation; spatial modeling;

D O I：

10.1117/12.250817

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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