The charge-share modified precharge-level (CSM) architecture for high-speed and low-power ferroelectric memory

被引：1

作者：

Fujisawa, H ^{[1
]}

Sakata, T ^{[1
]}

Sekiguchi, T ^{[1
]}

Nagashima, O ^{[1
]}

Kimura, K ^{[1
]}

Kajigaya, K ^{[1
]}

机构：

[1] HITACHI LTD,DEVICE DEV CTR,TOKYO 198,JAPAN

来源：

1996 SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS - DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIC.1996.507712

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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