ECR etching of GaP, GaAs, InP, and InGaAs in Cl-2/Ar, Cl-2/N-2, BCl3/Ar, and BCl3/N-2

被引：12

作者：

Shul, RJ ^{[1
]}

Baca, AG ^{[1
]}

Rieger, DJ ^{[1
]}

Hou, H ^{[1
]}

Pearton, SJ ^{[1
]}

Ren, F ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA NATL LABS,ALBUQUERQUE,NM 87185

来源：

COMPOUND SEMICONDUCTOR ELECTRONICS AND PHOTONICS | 1996年 / 421卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-421-245

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：245 / 250

页数：6