Hot-carrier effect in ultra-thin-film (UTF) fully-depleted SOI MOSFET's

被引：3

作者：

Yu, B ^{[1
]}

Ma, ZJ ^{[1
]}

Zhang, G ^{[1
]}

Ha, CM ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY,DEPT EECS,BERKELEY,CA 94720

来源：

1996 54TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE DIGEST | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/DRC.1996.546300

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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