SOI wafer flow process for stencil mask fabrication

被引：30

作者：

Butschke, J

Ehrmann, A

Höfflinger, B

Irmscher, M

Käsmaier, R

Letzkus, F

Löschner, H

Mathuni, J

Reuter, C

Schomburg, C

Springer, R

机构：

[1] Inst. fur Mikroelektronik Stuttgart, 70569 Stuttgart

[2] Siemens AG, 81739 München

[3] Ionen Mikrofabrikations Syst. GmbH, 1020 Wien

来源：

MICROELECTRONIC ENGINEERING | 1999年 / 46卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/S0167-9317(99)00043-X

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

A high yield fabrication process for stencil mask using SOI material is presented. Membranes and masks from different base materials have been fabricated. The stress of the membrane, depending on the doping level, has been determined. Initial pattern displacement measurements have been performed.

引用

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