Growth of ultrathin SiO2 on Si by surface irradiation with an O2+Ar electron cyclotron resonance microwave plasma at low temperatures (vol 85, pg 1911, 1999)

被引：1

作者：

Liu, YC ^{[1
]}

Ho, LT

Bai, YB

Li, TJ

机构：

[1] NE Normal Univ, Inst Theoret Phys, Changchun 130024, Peoples R China

[2] Jilin Univ, Changchun 130021, Peoples R China

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.371059

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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