Excitonic recombination processes in undoped and doped wurtzite GaN films deposited on sapphire substrates

被引：15

作者：

Freitas, JA ^{[1
]}

Doverspike, K ^{[1
]}

Wickenden, AE ^{[1
]}

机构：

[1] SACHS FREEMAN ASSOCIATES INC,LANDOVER,MD 20785

来源：

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年 / 395卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-395-485

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：485 / 490

页数：6