SiGe heterostructures for FET applications (vol 31, pg 1397, 1998)

被引：1
作者：
Whall, TE
Parker, EHC
机构：
来源：
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS | 1999年 / 32卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1088/0022-3727/32/10/501
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
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共 1 条
[1]   SiGe heterostructures for FET applications [J].
Whall, TE ;
Parker, EHC .
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 1998, 31 (12) :1397-1416
1