Light emission from rare earth lumophores in inorganic and organic hosts

被引：0
作者：
Steckl, AJ [1 ]
机构：
[1] Univ Cincinnati, Cincinnati, OH 45221 USA
来源：
2005 IEEE LEOS ANNUAL MEETING CONFERENCE PROCEEDINGS (LEOS) | 2005年
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：651 / 652
页数：2
相关论文
共 4 条
[1]  
Blasse G., 1994, LUMINESCENT MAT, DOI [10.1007/978-3-642-79017-1_1, DOI 10.1007/978-3-642-79017-1_1]
[2]   Laser action in Eu-doped GaN thin-film cavity at room temperature [J].
Park, JH ;
Steckl, AJ .
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004, 85 (20) :4588-4590
[3]   Rare-earth-doped GaN: Growth, properties, and fabrication of electroluminescent devices [J].
Steckl, AJ ;
Heikenfeld, JC ;
Lee, DS ;
Garter, MJ ;
Baker, CC ;
Wang, YQ ;
Jones, R .
IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2002, 8 (04) :749-766
[4]  
STECKL AJ, 1999, PHOTONIC APPL RARE E, V24
1