Growth of (1(1)over-bar-00) oriented GaN on (1(1)over-bar-00) 6H-SiC by metalorganic vapor phase epitaxy

被引：0

作者：

Horino, K ^{[1
]}

Kuramata, A ^{[1
]}

Domen, K ^{[1
]}

Soejima, R ^{[1
]}

Tanahashi, T ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LABS LTD,ATSUGI,KANAGAWA 24301,JAPAN

来源：

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：530 / 533

页数：4