Enhanced luminescence of near-surface quantum wells passivated in situ by InP

被引：0

作者：

Lipsanen, H ^{[1
]}

Sopanen, M ^{[1
]}

Taskinen, M ^{[1
]}

Tulkki, J ^{[1
]}

机构：

[1] HELSINKI UNIV TECHNOL,OPTOELECTR LABS,FIN-02150 ESPOO,FINLAND

来源：

1996 EIGHTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4