1 mm gate length, In0.75Ga0.25As channel, thin body n-MOSFET on InP substrate with transconductance of 737 μS/μm (vol 44, pp 498, 2008)

被引：11
作者：
Hill, R. J. W.
Droopad, R.
Moran, D. A. J.
Li, X.
Zhou, H.
Macintyre, D.
Thoms, S.
Ignatova, O.
Asenov, A.
Rajagopalan, K.
Fejes, P.
Thayne, I. G.
Passlack, M.
机构：
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 2008年 / 44卷 / 21期
基金：
英国工程与自然科学研究理事会;
关键词：
D O I：
10.1049/el:20082747
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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共 1 条
[1]   1 μm gate length, In0.75Ga0.25As channel, thin body n-MOSFET on InP substrate with transconductance of 737 μS/mm [J].
Hill, R. J. W. ;
Droopad, R. ;
Moran, D. A. J. ;
Li, X. ;
Zhou, H. ;
Macintyre, D. ;
Thoms, S. ;
Ignatova, O. ;
Asenov, A. ;
Rajagopalan, K. ;
Fejes, P. ;
Thayne, I. G. ;
Passlack, M. .
ELECTRONICS LETTERS, 2008, 44 (07) :498-499
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