Study of damaged top layers of silicon crystals produced by BF2+ implantation by high resolution X-ray diffraction

被引：0

作者：

Lal, K ^{[1
]}

Bhagavannarayana, G ^{[1
]}

Virdi, GS ^{[1
]}

机构：

[1] NATL PHYS LAB,NEW DELHI 110012,INDIA

来源：

SEMICONDUCTOR DEVICES | 1996年 / 2733卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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页码：493 / 495

页数：3

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