High-power GaN-HEMT devices operating at NM-wave frequencies

被引：0

作者：

Jha, AR ^{[1
]}

机构：

[1] Jha Tech Consulting Serv, Cerritos, CA 90703 USA

来源：

IRMMW-THz2005: The Joint 30th International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 13th International Conference on Terahertz Electronics, Vols 1 and 2 | 2005年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2