High-power GaN-HEMT devices operating at NM-wave frequencies

被引:0
作者
Jha, AR [1 ]
机构
[1] Jha Tech Consulting Serv, Cerritos, CA 90703 USA
来源
IRMMW-THz2005: The Joint 30th International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 13th International Conference on Terahertz Electronics, Vols 1 and 2 | 2005年
关键词
D O I
暂无
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页数:2
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