Threshold voltage variation of parasitic transistors due to fixed charge at SOI/SiO2 interface in LOCOS-isolated SOI MOSFET's

被引：0

作者：

Ipposhi, T ^{[1
]}

Iwamatsu, T ^{[1
]}

Miyamato, S ^{[1
]}

Inoue, Y ^{[1
]}

Miyoshi, H ^{[1
]}

机构：

[1] MITSUBISHI ELECTR CORP,ULSI LAB,ITAMI,HYOGO 664,JAPAN

来源：

1996 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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