Response to "Comment on 'Influence of the doping element on the electron mobility in n-silicon'" [J-Appl. Phys. 85, 7984 (1999)]

被引：2

作者：

Kaiblinger-Grujin, G ^{[1
]}

Kosina, H ^{[1
]}

Selberherr, S ^{[1
]}

机构：

[1] Vienna Tech Univ, A-1040 Vienna, Austria

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1999年 / 85卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1063/1.370621

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：7986 / 7986

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