Rare-earth doped epitaxial InGaP and its optical properties

被引：0

作者：

Wessels, W ^{[1
]}

机构：

[1] NORTHWESTERN UNIV,DEPT MAT SCI & ENGN,EVANSTON,IL 60208

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

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页码：247 / 254

页数：8

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