Bulk boundary condition for numerical solution of simultaneous diffusion equations of phosphorus and point defects in silicon (vol 38, pg 36, 1999)

被引：0
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作者：
Yoshida, M
Takahashi, M
Tomokage, H
机构：
[1] Yoshida Semicond Lab, Chuo Ku, Fukuoka 8100045, Japan
[2] Fukuoka Inst Technol, Higashi Ku, Fukuoka 8110295, Japan
[3] Fukuoka Univ, Dept Elect, Jonan Ku, Fukuoka 8140180, Japan
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS | 1999年 / 38卷 / 4A期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
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页码：2182 / 2182
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