Diamond CVD film formation onto WC-Co substrates using a thermally nitrided Cr diffusion-barrier (vol 39, pg 65, 2013)

被引：1

作者：

Hojman, E. ^{[1
]}

Akhvlediani, R. ^{[2
]}

Layyous, A. ^{[3
]}

Hoffman, A. ^{[1
,2
]}

机构：

[1] Technion Israel Inst Technol, Russell Berrie Nanotechnol Inst, IL-32000 Haifa, Israel

[2] Technion Israel Inst Technol, Schulich Fac Chem, IL-32000 Haifa, Israel

[3] Iscar Ltd, IL-24959 Tefen, Israel

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/j.diamond.2013.11.005

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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