On the Interpretation of Ballistic Injection Velocity in Deeply Scaled MOSFETs (vol 59, pg 994, 2012)

被引：0

作者：

Liu, Yang ^{[1
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Luisier, Mathieu ^{[2
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Antoniadis, Dimitri ^{[3
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Majumdar, Amlan ^{[4
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Lundstrom, Mark S. ^{[5
,6
]}

机构：

[1] IBM Res Div, Hopewell Jct, NY 12533 USA

[2] Swiss Fed Inst Technol, Integrated Syst Lab, CH-8092 Zurich, Switzerland

[3] MIT, Microsyst Technol Lab, Cambridge, MA 02139 USA

[4] IBM Res Div, Yorktown Hts, NY USA

[5] Purdue Univ, Network Computat Nanotechnol, W Lafayette, IN 47907 USA

[6] Purdue Univ, Sch Elect & Comp Engn, W Lafayette, IN 47907 USA

来源：

关键词：

III-V MOSFETs; injection velocity; virtual source (VS);

D O I：

10.1109/TED.2012.2218609

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：3655 / 3655

页数：1

共 2 条

Khakifirooz, Ali ;

Nayfeh, Osama M. ;

Antoniadis, Dimitri .

Liu, Yang ;

Luisier, Mathieu ;

Majumdar, Amlan ;

Antoniadis, Dimitri A. ;

Lundstrom, Mark S. .