Impact of BOX scaling on 30 nm gate length FD SOI MOSFETs

被引：25

作者：

Fujiwara, M ^{[1
]}

Morooka, T ^{[1
]}

Yasutake, N ^{[1
]}

Ohuchi, K ^{[1
]}

Aoki, N ^{[1
]}

Tanimoto, H ^{[1
]}

Kondo, M ^{[1
]}

Miyano, K ^{[1
]}

Inaba, S ^{[1
]}

Ishimaru, K ^{[1
]}

Ishiuchi, H ^{[1
]}

机构：

[1] Toshiba Co Ltd, SoC Res & Dev Ctr, Isogo Ku, Yokohama, Kanagawa 2358522, Japan

来源：

2005 IEEE International SOI Conference, Proceedings | 2005年

关键词：

D O I：

10.1109/SOI.2005.1563581

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：180 / 182

页数：3