Controlled incorporation of Mn in GaAs: Role of surface reconstructions (vol 87, 165301, 2013)

被引：1
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作者：
Ohtake, Akihiro
Hagiwara, Atsushi
Nakamura, Jun
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW B | 2013年 / 87卷 / 15期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevB.87.159910
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
[No abstract available]
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