Low-temperature growth and structural characterization of GaAs using ionized source beam epitaxy

被引：0

作者：

Roh, DW ^{[1
]}

Kim, K ^{[1
]}

机构：

[1] ELECTR & TELECOMMUN RES INST, TAEJON 305606, SOUTH KOREA

来源：

EVOLUTION OF EPITAXIAL STRUCTURE AND MORPHOLOGY | 1996年 / 399卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

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页码：23 / 28

页数：6

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