Engineering strain and conductivity of MoO3 by ion implantation (vol 169, pg 15, 2019)

被引：1

作者：

Pereira, Daniela R. ^{[1
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Diaz-Guerra, Carlos ^{[5
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Peres, Marco ^{[1
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Magalhaes, Sergio ^{[1
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Correia, Joao G. ^{[3
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Marques, Jose G. ^{[3
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Silva, Ana G. ^{[6
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Alves, Eduardo ^{[1
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Lorenz, Katharina ^{[1
,2
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机构：

[1] Univ Lisbon, Inst Super Tecn, IPFN, Estr Nacl 10,Km 139-7, P-2695066 Bobadela Lrs, Portugal

[2] Inst Engn Sistemas Comp Microsyst & Nanotechnol I, Lisbon, Portugal

[3] Inst Super Tecn IST, C2TN, Campus Tecnol & Nucl,Estr Nacl 10,Km 139-7, P-2695066 Bobadela Lrs, Portugal

[4] Univ Nova Lisboa, Fac Ciencias & Tecnol, Dept Fis, Lisbon, Portugal

[5] Univ Complutense Madrid, Fac Ciencias Fis, Dept Fis Mat, Madrid, Spain

[6] Univ Nova Lisboa, Dept Fis, Cefitec, Fac Ciencias & Tecnol, Campus Caparica, P-2829516 Caparica, Portugal

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/j.actamat.2020.08.050

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：425 / 428

页数：4