Characterization of GaAs layers grown by molecular beam epitaxy

被引：0

作者：

Fuentes, J ^{[1
]}

Leon, R ^{[1
]}

Montaigne, A ^{[1
]}

Gonzalez, PP ^{[1
]}

Serra, A ^{[1
]}

Egorov, A ^{[1
]}

Mendoza, J ^{[1
]}

PenaChapa, JL ^{[1
]}

Bartolo, P ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV HAVANA,IMRE,VEDADO 10400,LA HABANA,CUBA

来源：

SURFACES, VACUUM, AND THEIR APPLICATIONS | 1996年 / 378期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学]; O56 [分子物理学、原子物理学];

学科分类号：

070203 ; 070304 ; 081704 ; 1406 ;

摘要：

引用

页码：245 / 248

页数：4