Folded-cavity surface-emitting distributed feedback 1.39 mu m wavelength InGaAsP/InP laser diodes for gas-sensing applications

被引：0

作者：

Chao, CP ^{[1
]}

Garbuzov, DZ ^{[1
]}

Forrest, SR ^{[1
]}

Martinelli, RU ^{[1
]}

Menna, RJ ^{[1
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Harvey, MG ^{[1
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DiMarco, LA ^{[1
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Connolly, JC ^{[1
]}

机构：

[1] PRINCETON UNIV,DEPT ELECT ENGN,ADV TECHNOL CTR PHOTON & OPTOELECT MAT,PRINCETON,NJ 08544

来源：

LASER DIODES AND APPLICATIONS II | 1996年 / 2682卷

关键词：

semiconductor; diode laser; distributed feedback; 1.39 micron wavelength; InGaAsP/InP; gas-sensing;

D O I：

10.1117/12.237669

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

页码：241 / 246

页数：6