Strain-induced diffusion in heteroepitaxially grown CuInSe2 on GaAs substrates

被引：0

作者：

Fons, P ^{[1
]}

Niki, S ^{[1
]}

Yamada, A ^{[1
]}

Okada, A ^{[1
]}

Tweet, DJ ^{[1
]}

机构：

[1] ELECTROTECH LAB, PHOTON PROC SECT, TSUKUBA, IBARAKI 305, JAPAN

来源：

EVOLUTION OF EPITAXIAL STRUCTURE AND MORPHOLOGY | 1996年 / 399卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：549 / 554

页数：6