Floating body effects in partially-depleted SOI CMOS circuits

被引：0

作者：

Lu, PF ^{[1
]}

Ji, J ^{[1
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Chuang, CT ^{[1
]}

Wagner, LF ^{[1
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Hsieh, CM ^{[1
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Kuang, JB ^{[1
]}

Hsu, L ^{[1
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Pelella, MM ^{[1
]}

Chu, S ^{[1
]}

Anderson, CJ ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,DIV RES,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

1996 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON LOW POWER ELECTRONICS AND DESIGN - DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：139 / 144

页数：6