Structural and Electrical Transport Properties of Si Doped GaN Nanowires

被引：0

作者：

Fang, Zhihua ^{[1
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Robin, Eric ^{[4
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Rozas-Jimenez, Elena ^{[5
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Cros, Ana ^{[5
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Donatini, Fabrice ^{[1
,3
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Mollard, Nicolas ^{[4
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Pernot, Julien ^{[1
,3
,6
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Daudin, Bruno ^{[1
,2
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机构：

[1] Univ Grenoble Alpes, Grenoble, France

[2] Inac Sp2m, CEA, Nanophys & Semicond Grp, Grenoble, France

[3] Inst Neel, CNRS, Grenoble, France

[4] Inac, CEA, Minatec Campus, Grenoble, France

[5] Univ Valencia, Inst Mat Sci, E-46003 Valencia, Spain

[6] Inst Univ France, Paris, France

来源：

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) | 2016年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页数：1