MBE growth and characterization of strained GaAsBi/GaAs MQWs

被引：0

作者：

Patil, Pallavi ^{[1
]}

Ishikawa, Fumitaro ^{[1
]}

Shimomura, Satoshi ^{[1
]}

机构：

[1] Ehime Univ, Dept Nanoelect, Matsuyama, Ehime 790, Japan

来源：

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) | 2016年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页数：1