Breakdown of High-Performance Mono layer MoS2 Transistors (vol 6, pg 10070, 2012)

被引：12
作者：
Lembke, Dominik
Kis, Andras
机构：
来源：
ACS NANO | 2013年 / 7卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1021/nn400554k
中图分类号：
O6 [化学];
学科分类号：
0703 ;
摘要：
引用
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页码：3730 / 3730
页数：1
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共 5 条
[1]  
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