High-accuracy critical-dimension metrology using a scanning electron microscope

被引：19

作者：

Lowney, JR ^{[1
]}

Vladar, AE ^{[1
]}

Postek, MT ^{[1
]}

机构：

[1] NIST,DIV SEMICOND ELECTR,GAITHERSBURG,MD 20899

来源：

METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL FOR MICROLITHOGRAPHY X | 1996年 / 2725卷

关键词：

critical-dimension metrology; linewidth; lithography; Monte Carlo; scanning electron microscope;

D O I：

10.1117/12.240108

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

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页数：12