Modification of the properties of light-emitting structures fabricated by solid phase epitaxial technique at the erbium and oxygen ion implantation into (111)-oriented silicon substrates

被引：0
作者：
Sobolev, NA [1 ]
机构：
[1] AF Ioffe Phys Tech Inst, St Petersburg 194021, Russia
来源：
IZVESTIYA AKADEMII NAUK SERIYA FIZICHESKAYA | 2002年 / 66卷 / 02期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
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页码：272 / 275
页数：4
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共 13 条
  • [11] SOBOLEV NA, 2000, IZV RAN F, V64, P275
  • [12] SOBOLEV NA, 1995, FIZ TEKH POLUPROV, V29, P1153
  • [13] VDOVIN VI, 2001, IZV RAN F, V65, P281
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