Scaling issues and Ge profile optimization in advanced UHV/CVD SiGe HBTs

被引：1

作者：

Richey, DM ^{[1
]}

Cressler, JD ^{[1
]}

机构：

[1] AUBURN UNIV,DEPT ELECT ENGN,ALABAMA MICROELECT SCI & TECHNOL CTR,AUBURN,AL 36849

来源：

PROCEEDINGS OF THE 1996 BIPOLAR/BICMOS CIRCUITS AND TECHNOLOGY MEETING | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/BIPOL.1996.553890

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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