The temperature dependence of ion-beam-induced amorphization in beta-SiC (reprinted from Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, vol 106, pg 298-302, 1995)

被引：0

作者：

Weber, WJ ^{[1
]}

Wang, LM ^{[1
]}

机构：

[1] BATTELLE MEM INST,PACIFIC NW LABS,RICHLAND,WA 99352

来源：

ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：298 / 302

页数：5

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