High-quality III-V nitrides grown by metalorganic chemical vapor deposition

被引：0

作者：

Dupuis, RD ^{[1
]}

Holmes, AL ^{[1
]}

Grudowski, PA ^{[1
]}

Fertitta, KG ^{[1
]}

Ponce, FA ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TEXAS,CTR MICROELECT RES,AUSTIN,TX 78712

来源：

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年 / 395卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：183 / 188

页数：6