Self organized growth in thulium doped GaAs using MBE

被引：5

作者：

Bennett, MR ^{[1
]}

Singer, KE ^{[1
]}

Wright, AC ^{[1
]}

Jafri, ZH ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MANCHESTER,INST SCI & TECHNOL,CTR ELECT MAT,MANCHESTER M60 1QD,LANCS,ENGLAND

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-29

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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