AlGaAs/GaAs quantum well heterostructures grown by the low temperature LPE technique.

被引：0

作者：

DiazArencibia, P ^{[1
]}

TorresDelgado, G ^{[1
]}

MendozaAlvarez, J ^{[1
]}

Prutskij, T ^{[1
]}

ChavezRamirez, F ^{[1
]}

SilvaAndrade, E ^{[1
]}

机构：

[1] IPN,CINVESTAV,DEPT PHYS,MEXICO CITY 07738,DF,MEXICO

来源：

SURFACES, VACUUM, AND THEIR APPLICATIONS | 1996年 / 378期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学]; O56 [分子物理学、原子物理学];

学科分类号：

070203 ; 070304 ; 081704 ; 1406 ;

摘要：

引用

页码：151 / 155

页数：5