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Special section on VLSI design technology in the sub-100 nm era - Foreword
被引:0
作者
:
Matsuzawa, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
Tokyo Inst Technol, Tokyo 152, Japan
Tokyo Inst Technol, Tokyo 152, Japan
Matsuzawa, A
[
1
]
机构
:
[1]
Tokyo Inst Technol, Tokyo 152, Japan
来源
:
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
|
2006年
/ E89C卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:211 / 212
页数:2
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