EUV LITHOGRAPHY Lithography gets extreme

被引：489

作者：

Wagner, Christian ^{[1
]}

Harned, Noreen ^{[1
]}

机构：

[1] ASML, EUV, NL-5500 AH Veldhoven, Netherlands

来源：

NATURE PHOTONICS | 2010年 / 4卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1038/nphoton.2009.251

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

[No abstract available]

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页数：3

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