Ion beam-induced interfacial growth in Si and silicides (Reprinted from Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, vol 106, pg 206-215, 1995)

被引：0

作者：

Fortuna, F ^{[1
]}

Nedellec, P ^{[1
]}

Ruault, MO ^{[1
]}

Bernas, H ^{[1
]}

Lin, XW ^{[1
]}

Boucaud, P ^{[1
]}

机构：

[1] CNRS,CTR SPECTROMETRIE NUCL & SPECTROMETRIE MASSE,IN2P3,F-91405 ORSAY,FRANCE

来源：

ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：206 / 215

页数：10