Quasibound states in semiconductor quantum devices: introduction

被引：1

作者：

Glytsis, EN ^{[1
]}

机构：

[1] Georgia Inst Technol, Coll Engn, Sch Elect & Comp Engn, Atlanta, GA 30332 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/S0026-2692(99)00054-3

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2