Epitaxial growth of GaN on lattice-matched hafnium substrates

被引：0

作者：

Beresford, R ^{[1
]}

Stevens, KS ^{[1
]}

Briant, C ^{[1
]}

Bai, R ^{[1
]}

Paine, DC ^{[1
]}

机构：

[1] BROWN UNIV,DIV ENGN,PROVIDENCE,RI 02912

来源：

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年 / 395卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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