Reply to "Comment on 'Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed"

被引：1

作者：

Kim, Jin Sung ^{[1
]}

Lee, Hee Sung ^{[1
]}

Im, Seongil ^{[1
]}

机构：

[1] Yonsei Univ, Inst Phys & Appl Phys, Seoul 120749, South Korea

来源：

关键词：

MOS2; TRANSITION; CRYSTALS;

D O I：

10.1021/acsnano.5b08198

中图分类号：

O6 [化学];

学科分类号：

0703 ;

摘要：

引用

页码：1716 / 1717

页数：2